| 专利名称 | 一种碳化硅晶体退火工艺 | 申请号 | CN201010588052.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534805A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王波;陈小龙;李龙远;刘春俊;彭同华;王刚 | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硅晶体退火工艺 至一种碳化硅晶体退火工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后处理领域，具体来说是通过减小温度梯度(晶体温度梯度1-10℃/cm)，在压力1-8万帕以上的惰性气体下用1-5小时升到退火温度，退火温度在2300-2500℃，恒温10-40小时后再用10-50小时降温。通过这种退火工艺降低晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力，从而降低后续加工过程中碳化硅晶体破损率，提高碳化硅晶体产率。 |
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