| 专利名称 | 冗余金属填充方法和集成电路版图结构 | 申请号 | CN201110460698.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543853A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 马天宇;陈岚;方晶晶 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 冗余金属填充方法和集成电路版图结构 至冗余金属填充方法和集成电路版图结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种冗余金属填充方法，在需要填充冗余金属的区域填充若干个冗余金属，所述若干个冗余金属中，包括第一冗余金属和第二冗余金属，每个第一冗余金属的填充面积大于每个第二冗余金属的填充面积，所述第二冗余金属位于所述第一冗余金属与所述区域的互连线之间。相应地，本发明还提供一种集成电路版图结构。采用本发明的填充冗余金属方法，实现集成电路版图厚度一致性的同时降低了集成电路互连线间电容的增加，能够确保芯片的功能不会因为冗余金属的引入而遭到破坏。在需要填充冗余金属的区域中填充面积大小不同的冗余金属，减少了冗余金属填充数量，能够降低其他运算数据量。 |
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