| 专利名称 | 锗基赝砷化镓衬底的制备方法 | 申请号 | CN201210057303.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543693A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;潘教青;朱洪亮;王圩 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 锗基赝砷化镓衬底的制备方法 至锗基赝砷化镓衬底的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层；步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，完成材料的制备。其是通过MOCVD外延技术并结合改变原料的低温缓冲层外延与锗匹配的赝砷化镓层，抑制了GaAs/Si界面失配位错和APD向外延层的延伸；低生长速率的控制可以有效地控制缺陷，从而得到高质量的锗基赝砷化镓材料。 |
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