| 专利名称 | AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 | 申请号 | CN201010589028.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102542077A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;蒲颜;庞磊;袁婷婷;罗卫军;陈晓娟 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 至AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种AlGaN/GaN?HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。 |
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