| 专利名称 | 采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法 | 申请号 | CN201210063511.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534775A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 叶宁;吴少凡;苏伟平 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法 至采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法。在石英坩埚底部成核区域放置与溴化镧晶体结构参数与对称性相似的晶体材料制成的籽晶，籽晶材料与溴化镧不发生化学反应，且熔点高于溴化镧晶体。采用坩锅下降法生长晶体，在原料熔化阶段通过两段控温，上冷下热，提高熔体的对流，坩锅下降过程中，溴化镧优先在籽晶表面成核，生长方向且与籽晶的结晶学方向一致，继续生长得到所需方向的溴化镧晶体。该方法的优点在于：可以选择空气中稳定的晶体材料作为籽晶，避免采用溴化镧晶体作为籽晶带来的加工和无水操作的困难；同时相对于无籽晶的自发成核生长方法，大大提高了晶体定向生长的成功率。 |
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