| 专利名称 | 一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法 | 申请号 | CN201010591390.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102534479A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法 至一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1 x 0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。 |
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