| 专利名称 | 高度双重有序宏孔/介孔TiO2薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201010617896.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102531051A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所;佛山市高明区（中国科学院）新材料专业中心 | 发明（设计）人 | 王丹;杜江;赖小勇;毛丹 | 主分类号 | C01G23/053(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G23/053(2006.01)I;C03C17/23(2006.01)I | 专利有效期 | 高度双重有序宏孔/介孔TiO2薄膜及其制备方法 至高度双重有序宏孔/介孔TiO2薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有高度双重有序结构的宏孔/介孔TiO2薄膜及其制备方法。首先制备单分散的聚苯乙烯球，然后通过蒸发诱导自组装使聚苯乙烯球在载玻片上排列成最密堆积的蛋白石结构，制成聚苯乙烯球的胶体晶体模板，将该模板置于Ti的前驱体溶胶中，由浸渍-提拉法制得复合薄膜，最后通过热处理除去有机物即获得宏孔/介孔TiO2薄膜。采用该方法制备的宏孔/介孔TiO2薄膜具有高度的双重有序性，通过聚苯乙烯球粒径及其均一度的控制，表面活性剂的选择、浸渍-提拉及热处理条件的控制，可以实现对薄膜宏孔、介孔尺寸及有序性的调控。通过宏孔和介孔的协同作用，极大提高了材料的光催化效率。本发明方法操作方简便、可控性高、具有广阔的应用前景。 |
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