| 专利名称 | 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN200910306624.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101640227 | 公开（授权）日 | 2010.02.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 白云;麻芃;刘键;朱杰;饶志鹏;刘新宇 | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 至具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件 技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲 层、n型Al0.65Ga0.35N层、i型Al0.45Ga0.55N层、p型Al0.45Ga0.55N层和n型Al0.45Ga0.55N层，在所述 n型Al0.45Ga0.55N层上设置有第一上电极，在所述n型Al0.65Ga0.35N层上设置有第二上电极。本 发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大，从而实现信 号增益，提高器件的响应率。 |
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