| 专利名称 | 一种投影光刻中的同轴对准系统 | 申请号 | CN200910090921.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101639630 | 公开（授权）日 | 2010.02.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈旺富;胡松;周绍林;杨勇;赵立新;严伟;蒋文波;徐锋;张博 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种投影光刻中的同轴对准系统 至一种投影光刻中的同轴对准系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种投影光刻中的同轴对准系统，能够通过投影成像系统将掩模和硅片上的光栅标 记对准，并探测投影成像系统放大倍率的变化量。对准系统组成包括：光刻投影成像系 统，反射式衍射光栅标记，以及对准成像系统。照明光在掩模和硅片上的光栅产生向后 的衍射光在掩模上发生干涉，通过对准成像系统探测干涉条纹来确定对准零位。本发明 可以获得纳米到亚纳米级的对准精度，并且具有很强的工艺适应性。 |
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