| 专利名称 | 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法 | 申请号 | CN201010583561.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102539467A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;龚岳峰;刘燕;吴良才 | 主分类号 | G01N25/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N25/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法 至一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导数求导，通过一阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶温度；步骤三、对各个相变材料的拟合函数进行二阶导数求导，通过二阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶速率。利用该分析方法可以对多种相变材料进行比较，从而得到准确的比较结果，选取出最为合适的相变材料，有利于相变材料在器件操作应用中的保持力和操作速率的提高。 |
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