| 专利名称 | 带有存储功能的MOS器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010579748.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543734A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;王文武 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 带有存储功能的MOS器件及其形成方法 至带有存储功能的MOS器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种带有存储功能的MOS器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面上覆盖有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属互连结构；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和金属互连结构的表面；在所述第二介质层中形成开口，所述开口的底部暴露出所述金属互连结构；在所述开口的底部形成合金层，所述合金层的材料为铜和其他金属的合金；对所述合金层和金属互连结构进行热处理，在所述金属互连结构的表面形成含金属的氧化物层。所述含氧的化合物层与形成于所述半导体衬底中的MOS器件共同构成带有存储功能的MOS器件。本发明的工艺可控性较高，有利于改善器件性能。 |
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