| 专利名称 | 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201010581188.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544355A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吕业刚;宋三年;宋志棠 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 至相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明提供一种相变存储材料及其制备方法、具有所述相变存储材料的存储器及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑的化合物，化学计量为GaxSb100-x，其中，0 |
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