| 专利名称 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201010620557.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544099A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;王鹤飞 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 至隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种隧穿场效应晶体管，栅堆叠和衬底之间具有交界线，其源区的侧壁经阻挡层接于衬底，且至少靠近栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。还提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法。均利于增加导通电流。 |
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