| 专利名称 | 一种耿氏二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201010580735.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544113A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黄杰;杨浩;张海英;田超;董军荣 | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种耿氏二极管及其制备方法 至一种耿氏二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微波器件中二极管技术领域，具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底，高掺杂下底面n+GaAs层，有源区n-GaAs层，nsGaAs层，GaAs本征下隔离层，AlxGa1-xAs本征势垒层，GaAs本征上隔离层，高掺杂上表面n+GaAs层。本发明提供的耿氏二极管能够有效减小有源区n-GaAs层中的死区，增加直流到射频信号转换效率和提高热稳定性，且可以利用直流电压直接对输出振荡频率和功率调谐；本发明提供的耿氏二极管的制备方法简便，易于实现单片集成。 |
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