| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010617456.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544097A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构在SOI衬底上形成，所述SOI衬底自上而下依次包括SOI层、氧化物埋层、半导体埋层和半导体衬底，所述半导体结构包括：源/漏区，形成于所述SOI层中；栅极，形成于所述SOI层上，并且所述源/漏区位于栅极的两侧；背栅区，由所述半导体埋层的低电阻化的区域形成；第一隔离结构和第二隔离结构，位于所述源/漏区的两侧且延伸进入所述SOI衬底中；其中：所述第一隔离结构和第二隔离结构，分别与所述SOI层侧接于第一侧面和第二侧面，所述第一隔离结构与所述半导体埋层侧接于第三侧面，所述第三侧面位于所述第一侧面和第二侧面之间。本发明的实施例有助于避免源漏区与背栅区之间的短路。 |
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