| 专利名称 | 三维半导体存储器件及其制备方法 | 申请号 | CN201010599602.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544049A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 三维半导体存储器件及其制备方法 至三维半导体存储器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于垂直型环栅晶体管的1T1R存储结构的三维半导体存储器件及其制备方法，通过控制环栅晶体管的沟道宽度和沟道长度，可以有效控制开关电流比，从而有利于1T1R存储单元的多态运作，同时垂直晶体管相比水平晶体管具有更小的版图尺寸，从而可以有效缩减版图尺寸，实现超高密度的阵列集成。 |
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