| 专利名称 | 半导体器件的形成方法 | 申请号 | CN201010617419.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102543745A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;李春荣;罗军 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件的形成方法 至半导体器件的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：在第一绝缘层上顺序形成半导体基体、栅堆叠层及第二保护层；在确定栅极区域并去除栅极区域以外的第二保护层及栅堆叠层后，对半导体层执行离子注入操作以形成源漏区，并在栅极区域以外保留停止层、半导体层和覆盖半导体层的侧壁的第二绝缘层及暴露牺牲层；在形成第二侧墙以至少覆盖暴露的部分牺牲层后，去除第一保护层和第二保护层以暴露半导体层和栅堆叠层；并在暴露的半导体层和栅堆叠层上形成接触层；执行平坦化操作以暴露第一保护层，再以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，去除第一保护层、牺牲层、停止层和半导体层以形成空腔，空腔暴露第一绝缘层。利于减小短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容。 |
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