| 专利名称 | 自对准式二次成像方法 | 申请号 | CN201010611749.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102540701A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贺晓彬;杨涛 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/09(2006.01)I | 专利有效期 | 自对准式二次成像方法 至自对准式二次成像方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改进自对准式二次成像技术的方法，包括：在衬底上的图像转移层上形成第一光刻胶；进行第一曝光工艺，用以在第一光刻胶上形成第一图形；经过刻蚀把形成的第一图形转移到图像转移层上，并除去表面的第一光刻胶；在图像转移层的第一图形两侧形成侧墙；去除图形转移层，在衬底表面留下侧墙构成的第二图形；在第二图形上再形成另一光刻胶，进行另一曝光工艺，露出不需要的侧墙部分；刻蚀去掉不需要的侧墙部分并除去所述另一光刻胶。由此，改进了自对准式二次成像技术形成的侧墙必须是对称的这一缺点，得到想要的任意条数线条，从而减少在版图设计上的困难。 |
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