| 专利名称 | 可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法 | 申请号 | CN200810116990.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101633628 | 公开（授权）日 | 2010.01.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 王春儒;田飞 | 主分类号 | C07C255/09(2006.01)I | IPC主分类号 | C07C255/09(2006.01)I;C07C253/32(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法 至可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及控制温度变化速率在真空中可控制备多形貌铜-四氰基对苯 醌二甲烷(Cu-TCNQ)纳米结构的方法。本发明在真空条件下利用有机气固相 反应，利用不同的升温速率在真空条件下合成了多形貌的铜-四氰基对苯醌二 甲烷纳米结构阵列材料，实现了纳米结构材料的可控生长，能调节纳米结构 材料的直径，可以获得纳米棒、纳米线，并且可以控制纳米结构材料顶端的 形貌。本发明的方法操作简单、安全、成本低、反应时间短，适于大规模生 产多形貌的铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构阵列材料。得到的纳米材料可广 泛用于场发射平面显示、光电开关、传感器等方面。 |
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