| 专利名称 | 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 | 申请号 | CN201120307596.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202308774U | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 苏辉 | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 至基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本申请涉及一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器；其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域（AMMI），即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅，可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加，因此可以实现单纵横模的稳定输出。 |
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