| 专利名称 | 硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010621480.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102560352A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 袁志刚;方前锋;杨俊峰;程帜军;王先平 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法 至硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法。材料包括基底及其上的薄膜，薄膜为化学式为WS2-2xNx的复合薄膜，化学式WS2-2xNx中的W为钨、S为硫、N为氮、x的取值范围为0.1～0.9，复合薄膜的厚度为1～6μm，其由致密排列的粒径为5～20nm的颗粒构成；方法为先将由金属钨与硫化钨构成的复合靶和基底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，其中，复合靶中的金属钨与硫化钨之间的面积比为1～2∶1～5，复合靶与基底之间的距离为60～100mm，再待真空室的真空度≤3×10-3pa、基底温度达200～300℃后，使真空室处于氩氮混合气氛下，溅射1～5h，制得硫化钨与氮化钨复合薄膜材料。它的硬度达20GPa、摩擦系数仅为0.1，可广泛地用于工业及航空器件上。 |
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