微波太赫兹波探测器及其制备方法

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专利名称 微波太赫兹波探测器及其制备方法 申请号 CN201210073157.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102593235A 公开(授权)日 2012.07.18 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 蒋春萍;王亦 主分类号 H01L31/112(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/112(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 专利有效期 微波太赫兹波探测器及其制备方法 至微波太赫兹波探测器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明揭示了一种微波太赫兹波探测器及其制备方法,以高电子迁移率晶体管为基本结构,该探测器在有源区的台面设有背栅和至少一个长度介于1μm至1mm的条状结构,条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅,条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极,且凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm,其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。并且本发明提出了完整而可行的该种探测器制备方法。应用本发明的技术方案,较之于传统的探测器系统的显著优点为:能够无需依赖任何光学元件辅助,即可实现对微波-太赫兹波辐射的功率响应和频率响应,为降低探测器系统复杂程度、减少成本提供了一种切实保障。

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