| 专利名称 | 一种生长纳米柱阵列的方法 | 申请号 | CN201110356194.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102583236A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 | 发明（设计）人 | 王志高;黄增立;蔡德敏;王建峰;徐科 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种生长纳米柱阵列的方法 至一种生长纳米柱阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于材料制备领域。本发明提供一种生长纳米柱阵列的方法，包括步骤：1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜的表面生长化合物半导体材料的纳米柱阵列。本发明的优点在于，提供了一种生长纳米柱阵列的方法，利用HVPE生长系统中原生的高温HCl气体对于不同金属的腐蚀作用，调控金属的催化作用，进而控制纳米柱阵列的形态。 |
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