| 专利名称 | 用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法 | 申请号 | CN201010590406.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569644A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;许建安;饶峰;吴良才;刘波 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法 至用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，该材料是一种含有锑、碲、氮、硅四种元素的混合物，具有可逆相变能力的Sb2Tey（1 |
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