| 专利名称 | SiGe-HBT晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201210062609.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569069A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;余涛;罗杰馨;伍青青;柴展 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | SiGe-HBT晶体管及其制备方法 至SiGe-HBT晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SiGe-HBT晶体管及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该SiGe异质结双晶体管的制备方法通过采用离子注入技术，在集电区与空间电荷区重叠区域中形成掺杂浓度相等的P+层与N+层组成的叠层，所述P+层或N+层的掺杂浓度值呈高斯分布，且其浓度值小于基区的掺杂浓度值，大于集电区的掺杂浓度值。本发明的方案不仅可以改变局部势垒区电场值大小，还可以改变势垒区电场的分布情况，在保证不牺牲渡越时间、截止频率以及最大振荡频率的情况下，提高基极-集电极击穿电压，或者在保证击穿电压不恶化的情况下，增加集电区掺杂浓度，提高空间电荷区渡越时间和截止频率。 |
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