| 专利名称 | 高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法 | 申请号 | CN200910056300.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101628810 | 公开（授权）日 | 2010.01.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李国荣;阮伟;曾江涛;郑嘹赢;丁爱丽;殷庆瑞 | 主分类号 | C04B35/472(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/472(2006.01)I;C04B35/499(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法 至高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一类高透明度和高电光特性的掺杂的PMN-PT电光陶瓷材料 及制备方法，其特征在于所述的电光陶瓷材料的组成通式为：(1-x)Pb (MgyNbz)O3-xPbTi(5-3y)/4O3+(3y-1)A。其中(3y-1)A表示1mol PMN-PT中 掺杂(3y-1)mol的A，0＜x≤0.55；0.334＜y≤0.5；y+z＝1；A为Y、Bi、La中的一 种、二种或三种。本发明提供的透明电光陶瓷系列，随x、y、z的变化，透 过率变动于60％-66％之间(不考虑表面反射光损失时透过率高达90％-95％)， 二次电光系数R高达20-60x10-16m2/V2。因此，所提供的掺杂的Pb(Mg1/3Nb2 /3)O3-PbTiO3是一类有应用价值的透明电光陶瓷。 |
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