| 专利名称 | 一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法 | 申请号 | CN201110350938.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102560678A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 罗军华;孙志华;陈天亮;洪茂椿 | 主分类号 | C30B29/54(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/54(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法 至一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法，属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中，向生长溶液内添加比表面积为200~1000m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间，减少微晶的聚集趋势，提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单，便于操作，可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶，起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用；而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷，容易获得具有高光学质量的DAST晶体。 |
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