| 专利名称 | 三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用 | 申请号 | CN201110453408.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102557114A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张龙;柳洋;董红星 | 主分类号 | C01G15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G15/00(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I | 专利有效期 | 三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用 至三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用，该材料采用铟盐、去离子水，丙三醇为溶剂，乙二胺为铟离子配体，十六烷基三甲基溴化铵作表面活性剂，通过水热合成方法制备而成，具有氧化铟纳米片自组装三维花状空心多级结构，直径为0.5～3μm。该制备方法工艺简单，成本低，对环境友好，适用于大规模生产。用本发明方法制备材料制备气敏传感器的实验表明，对丙酮、甲苯呈现出非常高的灵敏度，其最低检测限可以达到ppb级，而且器件具有非常短的响应时间和恢复时间，稳定性高，选择性好，可应用于丙酮、甲苯的气敏传感器。 |
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