| 专利名称 | 一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法 | 申请号 | CN201210026732.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102556950A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 邱传凯;胡承刚;岳衢;张铁军;李国俊;罗先刚;潘丽;李飞 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;H01Q15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法 至一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。 |
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