| 专利名称 | 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法 | 申请号 | CN200810116381.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101625522 | 公开（授权）日 | 2010.01.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵珉;朱效立;陈宝钦;刘明 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I | 专利有效期 | 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法 至在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种在厚负性高分辨率电子束 抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法，包括：A.对衬底进行表面清洁及热 处理；B.在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层；C.对 涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘；D.对HSQ厚胶层进行密集图形的 电子束直写曝光；E.显影的准备工作及实施显影；F.定影及干燥；G. 进行后续的图形转移工艺。利用本发明，抑制了背散射效应对低灵敏度负 性抗电子束蚀剂层上制作密集图形时尤为严重的邻近效应的影响，并且避 免由于抗蚀剂层应力、缺陷，以及显影气泡等因素造成的光刻图形漂移或 倒塌的现象，使得利用负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ制作密集图形的 厚胶工艺实用化。 |
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