| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110008002.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593172A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;吴彬能;肖卫平;吴昊;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。利于减少发生短沟道效应的可能性。 |
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