| 专利名称 | 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 | 申请号 | CN201210076491.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593355A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 朱敏;吴良才;宋志棠;饶峰;彭程;周夕淋;任堃;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 至一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te3相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。 |
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