专利名称 | 陶瓷热敏电阻的制备方法 | 申请号 | CN201210072615.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102592763A | 公开(授权)日 | 2012.07.18 | 申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 蒋春萍;孔雯雯 | 主分类号 | H01C7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01C7/02(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 陶瓷热敏电阻的制备方法 至陶瓷热敏电阻的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种陶瓷热敏电阻的制备方法,首先制备由锰、铜、硅、钴、铁、镍中两种以上的金属氧化物充分混合而成的陶瓷氧化物粉体;继而将制得的陶瓷氧化物粉体混入甘油和1%~10%的PVA之中配成浆料,并通过丝网印刷工艺把浆料印至基片成薄膜,待溶剂完全挥发后进行压片处理及脱模处理;最后对脱模的陶瓷热敏电阻薄片坯在1000~1300℃的高温下烧结致密,并冷却至室温成品。应用本发明的技术方案,其体现的显著优点为:结合了丝网印刷、陶瓷压片和烧结工艺,从而实现了微米量级厚的陶瓷热敏电阻薄片的制备,一方面为该种薄片电阻的批量制备提供的行之有效的方法,另一方面由此得到的薄片电阻厚度可控、密度均匀、可靠性好、成品率高。 |
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