| 专利名称 | 一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用 | 申请号 | CN201110388963.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592699A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 彭晓;张洪亮;王福会 | 主分类号 | H01B1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/02(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01H1/04(2006.01)I;H01H11/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用 至一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及复合膜制备技术，更具体地说，是涉及一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用。复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr2O3颗粒组成：按质量百分数计，Cr2O3颗粒含量为1.5％-15.0％，其余为Ag。复合膜的制备分两步进行：首先采用Ag与Cr颗粒共电沉积的方法在浸Ag打底的Cu基体上制备Cr颗粒弥散分布的Ag/Cr复合镀层；然后通过Cr颗粒的原位内氧化，使Ag/Cr复合镀层中的Cr颗粒氧化生成Cr2O3颗粒并均匀弥散于Ag基体中从而获得Ag/Cr2O3复合膜。本发明工艺简单、成熟，易于推广。与采用复合电沉积制备的Ag/3.9Cr2O3复合膜和文献中报道的采用合金内氧化法制备的常用Ag/MexOy型电触点材料(如Ag/12CdO)相比，本发明实施例Ag/4.0Cr2O3复合膜的密度和电阻率相当，硬度明显较高。 |
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