| 专利名称 | 一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法 | 申请号 | CN201210075810.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593006A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;陈娇;麻芃;王显泰;潘洪亮;郭建楠;彭松昂 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法 至一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜，实现光刻胶与碳基材料的隔离，最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响，从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。 |
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