| 专利名称 | 一种高k介质薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210075127.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592974A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;曹铎;贾婷婷;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高k介质薄膜的制备方法 至一种高k介质薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高k介质薄膜的制备方法，在标准的RCA清洗法之前加入H2SO4、H2O2的清洗步骤，可以去除样品表面有机物，提高衬底表面的纯净度。在RCA清洗法之后再次用HF去除表面氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体处理Si表面的技术，在高K介质薄膜与Si之间生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，该钝化层可以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长高K介质薄膜，并原位对所述高K介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。本方法有利于减小界面缓冲层的厚度和界面粗糙度、抑制了衬底和薄膜之间的元素扩散、有利于减小等效栅氧厚度。 |
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