| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110020536.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593173A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于：在镍基金属硅化物中具有抑制镍金属扩散的掺杂离子；镍基金属硅化物/沟道区的界面处也具有掺杂离子的聚集区，聚集区位于隔离侧墙下方且未进入沟道区。分布在镍基金属硅化物里面和聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子可以阻止镍基金属硅化物的横向生长，因此可防止源漏穿通或栅极泄漏电流，从而提高器件可靠性，进一步提高了产品良率。 |
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