| 专利名称 | 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 | 申请号 | CN201110007880.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593170A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 至一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构，属于半导体器件领域。所述射频LDMOS晶体管结构包括背栅金属层、底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、正栅氧化层、正栅多晶硅层，侧墙区、源区、漏区、P阱区、N阱区、N漂移区、硅化物层、隔离氧化物区、部分隔离氧化物区和体接触区。本发明将LDMOS晶体管制作于SOI衬底之上，利用部分隔离氧化物区在硅化过程中掩蔽漂移区上的硅化物，并可形成类RESURF结构，可显著提高LDMOS击穿电压，降低器件关断时的漏电及开启时的导通电阻；同时利用部分隔离氧化物区和与N阱区同型的重掺杂区域形成低势垒体接触区，可提高体引出效率，并且不受器件宽长比限制。 |
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