| 专利名称 | 利用纳米碳管控制场发射电子发散角的方法 | 申请号 | CN201210046316.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592914A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 许灿华;冷雨欣;李闯;宋立伟;李儒新 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | 专利有效期 | 利用纳米碳管控制场发射电子发散角的方法 至利用纳米碳管控制场发射电子发散角的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 利用纳米碳管对场发射电子发散角的控制方法，该方法包括利用多壁纳米碳管作为场发射的电子源，在碳管和阳极之间加上电压形成电子场发射。通过调整并选择纳米碳管的外壁抽出的长度及在纳米碳管上所施加的电压，改变所述的纳米碳管端口的电场分布，控制场发射电子发散角、准直或者会聚，控制电子束的聚焦距离。本发明可以在没有任何附加聚焦装置下，控制场发射电子的发散、聚焦或者准直。 |
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