| 专利名称 | 光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201210060267.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102585177A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 霍利军;侯剑辉;武岳 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I | 专利有效期 | 光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用 至光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物的结构式如式I所示，A1和A2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：氢，具有1～30个碳原子的烷基，具有1～30个碳原子的烷氧基，氰基，硝基，酯基，芳基，芳烷基，卤素，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基；Ar选自未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的杂亚芳基；n代表聚合物的重复单元个数，为5～1000之间的自然数；本发明提供的聚合物不仅具有很好的空穴迁移率，而且光电转化效率也比较高。 |
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