| 专利名称 | 掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法 | 申请号 | CN200910055936.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101624284 | 公开（授权）日 | 2010.01.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李国荣;郑嘹赢;冷森林;王天宝;曾江涛;殷庆瑞 | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;G01K7/16(2006.01)I | 专利有效期 | 掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法 至掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一类掺杂的BKT-BT系无铅正温度系数电阻陶瓷材料及制备 方法，材料的组成通式为：(Bi0.5K0.5)x1(Ba1-x1-x2AX2)Ti1-yMyO3+Zmol％D，其中 0＜x1≤0.7；0＜x2≤0.6％； 0＜y＜0.2％； 0≤Z＜1；A为Ce、Y、La和Bi中的 一种或多种；M为Nb、Sb、Ta和Mo中的一种或多种；D为MnO2、TiO2、 SiO2和B2O3中的一种或多种。本发明的无铅PTCR陶瓷材料系列，随x1、 x2、y和Z的变化，其TC，α，ρRT，电阻突跳(Rmax/Rmin)分别在140-250℃， 10-45％/℃，20-60Ω·Cm，以及102-105之间变动。 |
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