| 专利名称 | 一种双向磁场增强装置 | 申请号 | CN201120446602.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202323013U | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明（设计）人 | 张振厚;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双向磁场增强装置 至一种双向磁场增强装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及提高PECVD设备的磁场，具体地说是一种可以提高原料利用率和提高膜层沉积速度，进而提高产能的双向磁场增强装置，包括真空室及石英管，其中石英管安装在真空室内，在石英管的周围分别设置有第一磁钢、第二磁钢、第三磁钢及第四磁钢；所述第一磁钢与第三磁钢相对设置、相互平行，分别位于石英管的上方和下方；第二磁钢与第四磁钢相对设置、相互平行，分别位于石英管的左侧和右侧；所述第二磁钢、第三磁钢及第四磁钢的极性相同，第一磁钢与第二磁钢、第三磁钢及第四磁钢的极性相反。本实用新型在石英管四周设置了四个磁钢，两两相对，提高了原料利用率和膜层沉积速度，进而提高了设备产能。 |
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