| 专利名称 | 一种绝缘体上硅器件及其制备方法 | 申请号 | CN200910305117.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101621064 | 公开（授权）日 | 2010.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上硅器件及其制备方法 至一种绝缘体上硅器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种绝缘体上硅器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述绝缘体 上硅器件为采用p型绝缘体上硅晶圆制备的绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底、埋氧层以 及形成于顶层硅膜内的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管和P型场 效应晶体管分别位于体区中，均包括漏极、源极、栅极和体引出部分；所述包含N型场效应 晶体管的体区和包含P型场效应晶体管体区之间是电学隔离的。本发明的绝缘体上硅器件可 以有效地抑制浮体效应，源漏对称，无额外寄生电容，在保持SOI电路优势的同时，可以最 大程度地与主流体硅工艺和设计兼容。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障