| 专利名称 | 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 | 申请号 | CN200810116044.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101621027 | 公开（授权）日 | 2010.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王显泰;金智 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 专利有效期 | 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 至采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方 法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中 基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金 属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二 次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二 次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突 变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对 需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域 的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制 作高质量的变容二极管。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障