| 专利名称 | 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 | 申请号 | CN200810116043.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101621009 | 公开（授权）日 | 2010.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宋文斌;毕津顺;韩郑生 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 至一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括： 选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进 行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与BOX 层之间留出空间，为侧向体接触保留体引出通道；全部剥离SiN，生长SiO2 掩蔽膜，刻蚀该SiO2掩蔽膜，形成两个局部埋氧层的注入窗口；进行局部 埋氧层注入，形成源漏下方局部埋氧层；光刻形成有源区，两次调栅注入 后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅， LDD注入，侧墙隔离，源漏端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏 金属硅化物，淀积PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形 成压焊点层，合金，并进行背面处理。 |
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