| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010617418.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569395A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;吴昊;肖卫平 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种半导体器件及其形成方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上；半导体基体，所述半导体基体位于所述绝缘层上；空腔，所述空腔形成于所述半导体基体和绝缘层中；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上；在所述第二侧面和所述空腔之间夹有沟道层；超陡后退阱及晕环超陡后退阱，形成于所述沟道层中，所述超陡后退阱与晕环超陡后退阱掺杂类型相反。利于减小半导体器件中的短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容，并可调节半导体器件的阈值电压。 |
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