| 专利名称 | 制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法 | 申请号 | CN201010591318.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569095A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱旻;张海英;杜泽保;尹军舰 | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/46(2006.01)I | 专利有效期 | 制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法 至制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法。该方法包括：将基板进行切割；将切割件进行烧结；烧结后的切割件填充至原有基板并注蜡进行固定；第二层到第n层基板均按上述工艺得到；将n层基板层压烧结；拆除各个切割件即可获得一种具有通道的低温共烧陶瓷基板。本发明中，由于存在原切割件的支撑作用，在成品的基板中通道侧壁的形状在烧制前后可以基本保持不变。 |
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