| 专利名称 | 在磷化铟衬底上制备T型栅的方法 | 申请号 | CN201010578372.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569047A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黄杰;郭天义;张海英;杨浩 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 专利有效期 | 在磷化铟衬底上制备T型栅的方法 至在磷化铟衬底上制备T型栅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光；F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。根据本发明提供的在磷化铟衬底上制备T型栅的方法可制作更小尺寸的栅线条，且存在容易去胶，工艺简单，可靠性强等优点。 |
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