| 专利名称 | 一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法 | 申请号 | CN200810071339.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101619487 | 公开（授权）日 | 2010.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 陈达贵;林文文;黄丰;王永净;林璋 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法 至一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。 生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温 水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P 型半导体衬底单晶用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快 闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于工艺简单，操作方 便，设备低廉，本发明提供的方法有利于工业化生产。由于矿化剂溶液中可以 加入掺杂元素进行载流子调控，利用本方法可以实现CuI晶体材料的载流子的 调控。 |
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