| 专利名称 | 一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法 | 申请号 | CN200910304802.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101619457 | 公开（授权）日 | 2010.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李永亮;徐秋霞 | 主分类号 | C23F1/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F1/30(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法 至一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及使用该腐蚀剂的腐蚀方法，属于集成 电路制造技术领域。所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.19％～4.83％的氢氟酸。所述使用该 腐蚀剂的腐蚀方法包括将HfSiON高K栅介质材料形成于Si衬底、Si/SiO2界面层或者Si/SiON 界面层上后，将其浸泡在所述的腐蚀剂中进行湿法腐蚀。采用本发明腐蚀剂对HfSiON高K栅 介质材料进行腐蚀时，可降低氢氟酸水解，从而提高HfSiON高K栅介质材料的腐蚀速度并降 低对场氧区SiO2的腐蚀速度，进而提高HfSiON对场氧区SiO2的选择比。 |
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